在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料 間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與 基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合，則要求 壓力更低。 真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子 束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進 行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。----超硬面熱噴涂廠家 

1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看（也就是1/10波長作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經 相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。但是如 果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。 

2.化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜 過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術 含量所在。具體因素也在下面給出。 眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表 面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此 這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參 加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時還會產生大量的廢液，造成嚴重的污染。因 此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。 真空鍍膜則是相對于上述的濕式鍍膜方法而發展起來的一種新型鍍膜技術，通常稱為干式鍍膜技術。----PVD真空鍍膜廠家