真空泵鍍膜技術性一般可分為兩類，即物理學液相沉積（PVD）技術性和有機化學液相沉積（CVD）技術性。 物理學液相沉積技術性指的是在真空環境情況下，運用各種各樣物理方法，將鍍料汽化成分子、分子結構或使其離化作正離子，立即沉積到基 體表面上的方式。制取硬質的反映膜大多數以物理學液相沉積方式制取，它使用某類物理學全過程，如化學物質的熱蒸發，或遭受正離子 負電子時化學物質表面分子的磁控濺射等狀況，完成化學物質分子從源化學物質到塑料薄膜的可控性遷移全過程。物理學液相沉積技術性具備膜/基結合性 好、塑料薄膜勻稱高密度、塑料薄膜薄厚可預測性好、運用的濺射靶材普遍、磁控濺射范疇寬、可沉積厚膜、可制得成份平穩的鋁合金膜和反復 性好等優勢。 真空泵鍍膜機關鍵指一類必須在較高真空值下實現的鍍膜，包含真空泵正離子蒸發鍍膜機、磁控濺鍍膜機射、MBE分子結構束外延性鍍 膜機和PLD激光器磁控濺射沉積鍍膜機等很多種多樣。----超硬面熱噴涂廠家

主要是分為蒸發和磁控濺射二種。在真空泵鍍膜機器設備中必須鍍膜的被變成硅片，鍍的 原材料被變成濺射靶材。硅片與濺射靶材共行真內腔中。蒸發鍍膜一般是加溫濺射靶材使表面成分以原子團或正離子方式被蒸發出去，并 且地基沉降在硅片表面，根據涂膜全過程產生塑料薄膜。真空泵鍍膜機針對磁控濺射類鍍膜，能夠簡易解釋為運用電子器件或高能激光負電子靶 材，并使表面成分以原子團或正離子方式被磁控濺射出去，而且后沉積在硅片表面，歷經涂膜全過程，后產生塑料薄膜。爐墻可 挑選由不銹鋼板、碳素鋼或他們的組成制作的雙 層水冷散熱構造。 有機化學液相沉積技術性是把帶有組成塑料薄膜原素的氫氧化物汽體或化學物質提供基材，依靠液相功效或基材表面上的化學變化，在基 體上制成金屬材料或化學物質塑料薄膜的方式，關鍵包含自然壓有機化學液相沉積、低電壓有機化學液相沉積和兼具CVD和PVD二者特性的低溫等離子 有機化學液相沉積等。 蒸發化學物質如金屬材料、化學物質等放置鉗鍋內或掛在熱絲上做為蒸發源，待鍍產品工件，如金屬材料、瓷器、塑膠等硅片放置鉗鍋正前方 。

待系統軟件抽無上真空泵后，加溫鉗鍋使當中的化學物質蒸發。蒸發化學物質的分子或分子結構以冷疑方法沉積在硅片表面。塑料薄膜薄厚可 由百余埃至數μm。膜厚決策于蒸發源的蒸發速度和時間（或決策于放料量），并與源和硅片的間距相關。針對大規模 鍍膜，常使用轉動硅片或多蒸發源的方法以確保膜層薄厚的勻稱性。從蒸發源到硅片的間距應低于蒸汽分子結構在殘留汽體 中的真空磁導率，以防蒸汽分子結構與殘氣分子結構撞擊造成化學效用。蒸汽分子結構均值機械能約為0.1～0.2電子伏。 蒸發源有三種種類。①電阻絲加熱源：用硅化物金屬材料如鎢、鉭做成舟箔或絮狀,通以電流量,加溫在它上邊的或放置鉗鍋中的蒸 發化學物質（圖1[蒸發鍍膜機器設備平面圖]）電阻絲加熱源關鍵用以蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；②高頻感應加 熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質；③電子束加熱源：適用于蒸發溫度較高（不低于2000[618-1]）的材料，即 用電子束轟擊材料使其蒸發。-----PVD真空鍍膜